注意能带路径生成操作需在自洽计算前完成。
1.准备POSCAR，调用vaspkit- 303（体相材料）或-302（二维材料）得到KPATH.in和PRIMCELL.in文件；对于二维体系，需要检查POSCAR文件的真空层是否沿z方向，如果没有，可调用vaspkit-923或vaspkit-4...
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这里我们以MoS_2单层为例，首先通过分析能带结构找出价带顶(VBM)和导带底(CBM)的位置。对于MoS_2单层，其价带顶和导带底均位于高对称点K点处。
除了通过能带，也可以通过调用VASPKIT-911命令来得到带边位置，
911
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在材料的线性形变范围内（应变较小的情况下），体系的应力与应变满足胡克定律，
\sigma_{i}=\sum_{j=1}^{6} c_{i j} \varepsilon_{j}
其中\sigma_{i}和\boldsymbol{\varepsilon}_{i}分别表示应力和应...
描述固体压缩性的状态方程在凝聚态物理和地球物理研究领域中扮演着重要的角色，也在材料科学和能源工程等应用科学中具有重要的应用价值，例如可通过状态方程拟合得到晶格常数和体弹性模量。VASPKIT最新测试版1.10版本已经包含了12种被广泛使用的EOS状态方程（如下所示），可从VASPKIT使用QQ...
二维材料3D能带计算，这里以石墨烯为例，见vaspkit/examples/3D_band。
第一步，准备好石墨烯的POSCAR和用于静态计算的INCAR文件；
第二步：运行VASPKIT并选择231生成用于3D能带计算 的KPOINTS文件，执行界面如下所示。注意为了获得平滑的3D能带面，用...
费米面计算，这里我们以Cu为例，见vaspkit/examples/Cu_fermi_surface。
第一步，准备好FCC Cu的POSCAR，注意一定是原胞（primitive cell ）和用于静态计算的INCAR文件；
第二步，运行VASPKIT，输入261命令，产生用于计算计算费米面...
真实材料中，材料的缺陷浓度及杂质浓度非常低，在利用第一性原理计算研究材料中的缺陷性质时必须采用超胞模型。然而，由于超胞的能带结构无法直接与完美体系的能带做比较，因此讨论缺陷及杂质如何影响基质材料的电学性质具有一定的难度。幸运的是，Zunger等人[见PRL 104, 236403 (2010)...
主功能4 Structure Editor 包含了几个结构操作的小工具。
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400) Redefine Lattice
401) Build Supercel...
功能507 能够校正振动分析中不想要的小虚频。为了验证优化的结构是否处于势能面的极值点，我们就会进行频率分析（IBRION=5）。常会发现有很多波数非常小的虚频（几十cm-1），李强建议，一般小于50cm-1的虚频可以忽略，一般都是为了破坏对称性而产生的虚频，并不是我们想要的过渡态虚频。因此可...
差分电荷密度用来查看成键前后电荷的重新分布。这里以小木虫上的一个CO差分电荷为例。
文献中常用的差分电荷密度图为二次差分电荷密度图(difference charge density)，区别于差分电荷密度图(deformation charge density)。 差分电荷定义为成键后的电荷密...