注意能带路径生成操作需在自洽计算前完成。
1.准备POSCAR，调用vaspkit- 303（体相材料）或-302（二维材料）得到KPATH.in和PRIMCELL.in文件；对于二维体系，需要检查POSCAR文件的真空层是否沿z方向，如果没有，可调用vaspkit-923或vaspkit-407强制真空层沿z方向。另外，如果需要改变识别结构对称性精度（symprec默认值为1E-5），可通过vaspkit -task 302 -symprec 1E-6实现或者在~/.vaspkit中修改SYMPREC默认值。
2.执行cp PRIMCELL.vasp POSCAR命名。KPATH.in推荐能带路径只针对于PRIMITIVE CELL，缺少这一步，你可能得到错误的结果。如果有必要，比较KPATH.in文件中的能带路径是否与在线能带路径产生工具SeeK-Path产生的一致，包括比较PRIMCELL.vasp和HIGH_SYMMETRY_POINTS文件。需要指出的是SeeK-Path只用于体相结构能带路径的产生。自1.3.0版本，对于二维体系不需要执行cp PRIMCELL.vasp POSCAR。
- 可通过vaspkit-309命令在倒空间可视化能带路径来判断POSCAR是否与KPATH.in对应。如果发现高对称点没有落在Wigner-Seitz倒格矢原胞的面上，则可能意味着操作有问题，如下图所示。
注意：对于超胞，建议使用能带反折叠方法进行分析。
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V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033
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