VASPKIT生成推荐能带路径注意事项

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注意能带路径生成操作需在自洽计算前完成

1.准备POSCAR,调用vaspkit- 303(体相材料)或-302(二维材料)得到KPATH.in和PRIMCELL.in文件;对于二维体系,需要检查POSCAR文件的真空层是否沿z方向,如果没有,可调用vaspkit-923vaspkit-407强制真空层沿z方向。另外,如果需要改变识别结构对称性精度(symprec默认值为1E-5),可通过vaspkit -task 302 -symprec 1E-6实现或者在~/.vaspkit中修改SYMPREC默认值。

2.执行cp PRIMCELL.vasp POSCAR命名。KPATH.in推荐能带路径只针对于PRIMITIVE CELL,缺少这一步,你可能得到错误的结果。如果有必要,比较KPATH.in文件中的能带路径是否与在线能带路径产生工具SeeK-Path产生的一致,包括比较PRIMCELL.vasp和HIGH_SYMMETRY_POINTS文件。需要指出的是SeeK-Path只用于体相结构能带路径的产生。自1.3.0版本,对于二维体系不需要执行cp PRIMCELL.vasp POSCAR

  1. 可通过vaspkit-309命令在倒空间可视化能带路径来判断POSCAR是否与KPATH.in对应。如果发现高对称点没有落在Wigner-Seitz倒格矢原胞的面上,则可能意味着操作有问题,如下图所示。

注意:对于超胞,建议使用能带反折叠方法进行分析。

如果您使用VASPKIT,请记得引用哦!

V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033

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