这里我们以MoS
除了通过能带,也可以通过调用VASPKIT-911命令来得到带边位置,
911
+-------------------------- Warm Tips --------------------------+
ONLY Reliable for Band-Structure Calculations!
+---------------------------------------------------------------+
-->> (01) Reading Input Parameters From INCAR File...
-->> (02) Reading Energy-Levels From EIGENVAL File...
+-------------------------- Summary ----------------------------+
Band Character: Direct
Band Gap (eV): 1.7711
Eigenvalue of VBM (eV): -2.1236
Eigenvalue of CBM (eV): -0.3526
HOMO & LUMO Bands: 9 10
Location of VBM: 0.333333 0.333333 0.000000 价带顶分数坐标
Location of CBM: 0.333333 0.333333 0.000000 导带底分数坐标
+---------------------------------------------------------------+
接下来我们计算K点处沿着K -> Γ和K -> M方向的电子及空穴载流子的有效质量; 第一步:准备POSCAR文件以及VPKIT.in文件,VPKIT.in文件包含以下内容;
1 设置为1将会生成计算有效质量的KPOINTS文件,2则计算有效质量
6 6表示我们在K附近取6个离散点用于多项式拟合
0.015 k-cutoff, 截断半径,典型值0.015 1/Å
2 2 表示有两个有效质量任务
0.333333 0.3333333 0.000 0.000 0.000 0.000 K->Γ 计算K点处有效质量,沿着K指向Γ方向
0.333333 0.3333333 0.000 0.500 0.000 0.000 K->M 计算K点处有效质量,沿着K指向M方向
第二步:运行vaspkit并选择912或者913产生KPOINTS,POTCAR文件及静态计算INCAR文件; 第三步:提交VASP作业; 第四步:计算完成后把VPKIT.in文件中第一行的1修改为2,然后再次运行vaspkit并选择913,得到以下结果:
Band Index: LUMO = 10 HOMO = 9
Effective-Mass (in m0) Electron (Prec.) Hole (Prec.)
K-PATH No.1: K->G 0.473 (0.3E-07) -0.569 (0.1E-07)
K-PATH No.2: K->M 0.524 (0.1E-06) -0.691 (0.1E-06)
Kormányos等人计算得到MoS
注意:对于间接半导体或者带边不在高对称点上,方法完全相同,分开计算挑出想要的数据。如果价带顶和导带底存在简并,例如GaAs和GaN等材料,这时候很难保证精度。
如果您使用VASPKIT,请记得引用哦!
V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033
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请问应用杂化泛函/metaGGA算能带后能否也用这系列操作计算有效质量?
可以,方法完全相同。
请问这一步需要读取ICHARG和WAVECAR吗
不需要,一次计算即可。
如果有缺陷能带在费米面附近,是不是不能使用vaspkit计算有效质量呢
有效质量一般针对于本征半导体讨论,真实材料中缺陷浓度非常低,对有效质量影响很小。
1.如果CBM和VBM不在一个高对称点,能否用这个方法计算有效质量吗?
2.如果CBM(或VBM)不在高对称点上(位于高对称点之间),能否用这个方法计算呢?
CBM和VBM的有效质量分开算,之后提取想要的信息。在不在高对称点无所谓,只要给出其准确位置和沿哪个方向即可。
CBM和VBM有效质量分开算,那最后应该取哪些值为结果?
间接带隙半导体的VPKIT.in文件又该怎么写?
格式完全相同,做计算也要变通,不能刻舟求剑。
计算金属性能带(能带穿过费米面)的有效质量,应该算能带与费米面交点处的吗?如果是这样,那第四步的时候是否应该改为运行vaspkit并选择912,然后再输入相应的能带
仅适用半导体材料的有效质量计算。
为什么我用vaspkit运行912/913不能生成K点啊??请问,所需输入文件我都准备好了
把INPUT.in或VPKIT.in第一行修改成1再运行vaspkit-912/913。
改了还是没办法生成
请问INPUT.in里面是什么内容呢?
您好 poscar是没有优化过的poscar嘛?
当然需要优化,在例子中这一步省略掉了。
我的输入文件也都准备好了,但是运行913没什么反应,没有产生文件,这要怎么解决呢
请问如果VBM/CBM有简并,想分别计算轻载流子和重载流子的有效质量,是不是没法通过这个功能实现
试试开启自旋轨道耦合,一般轻载流子和重载流子所在能级会分开。
请问,文中的计算流程结果是计算出CBM还是VBM的有效质量?
都可以,取决于INPUT.in或VPKIT.in文件中给出的K点坐标。
你好,磁性体系可以用这个方法吗
作者您好,请问直接间隙只有0.1meV可以用这个方法计算吗?
您好,我想请教一下这个计算方法可以应用到解释CeO2的电子导电性上吗?
[...]如何用VASPKIT计算有效质量 – VASPKIT与量化软件[...]
请问,在计算空穴有效质量时,提交任务后,在最后一步时,不管输入912/913都有这个问题,方法一:在输入912时,出现forrtl: severe (174): SIGSEGV, segmentation fault occurred。查到解决办法是输入这个命令:ulimit -s 262140或ulimit -s unlimited,但是还是没有解决。方法二:在输入913时,显示Which BAND do you want to read? (1
请问在第二步的时候为什么无法生成KPOINTS POTCAR 文件
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Does effective mass utility on available in pro-version or can be using in 1.5.1 version of vaspkit, but I was unable to utility 9