二维异质结，尤其是旋转二维异质结是近年来十分热门的研究方向，接下来我们演示如何应用VASPKIT 1.20及之后版本中的轨道投影能带反折叠功能计算二维异质结的电子结构性质。为了便于比较，我们重复了Matsushita等人关于MoS_2/graphene二维异质结能带计算的计算结果[10.110...

真实材料中，材料的缺陷浓度及杂质浓度非常低，在利用第一性原理计算研究材料中的缺陷性质时必须采用超胞模型。然而，由于超胞的能带结构无法直接与完美体系的能带做比较，因此讨论缺陷及杂质如何影响基质材料的电学性质具有一定的难度。幸运的是，Zunger等人[见PRL 104, 236403 (2010)...