第一步:安装ifort和icc(略) 第二步:安装fftw(可选) ./configure --prefix=../fftw FC=ifort CC=icc CXX=icpc make make install 第二步:在https://github.com/xianyi/OpenBLAS ...

MacOS系统不能太新,我在MacOS Sierra版本下可以顺利编译。最新版本会出现lstdc++相关错误,猜测与xcode版本有关,目前无解。 (1) Install oneAPI Base Toolkit, HPC Toolkit, OpenVINO Toolkit, AI Analy ...

第一步:调用vaspkit-314得到电荷差分密度CHGDIFF.vasp文件 第二步:mv CHGDIFF.vasp CHGCAR 第三步:运行vaspkit-316命令得到PLANAR_AVERAGE.dat文件,导入画图。 如果您使用VASPKIT,请记得引用哦! V. Wang, ...

把.cif格式文件批量转化成.vasp格式文件 for i in *.cif do echo -e "105\n$i\n\n"| vaspkit prefix=`echo $i|awk -F '.' '{print $1}'` echo ${prefix}.vasp mv ...

VASPKIT.1.3.1版本已实现基于半经验玻尔兹曼输运理论计算输运性质,目前可输出electronic conductivity, Seebeck coefficient, power factor 和electronic thermal conductivity等输运性质,后期将逐步改进 ...

二维异质结,尤其是旋转二维异质结是近年来十分热门的研究方向,接下来我们演示如何应用VASPKIT 1.20及之后版本中的轨道投影能带反折叠功能计算二维异质结的电子结构性质。为了便于比较,我们重复了Matsushita等人关于MoS_2/graphene二维异质结能带计算的计算结果[10.11 ...

注意能带路径生成操作需在自洽计算前完成。 1.准备POSCAR,调用vaspkit- 303(体相材料)或-302(二维材料)得到KPATH.in和PRIMCELL.in文件;对于二维体系,需要检查POSCAR文件的真空层是否沿z方向,如果没有,可调用vaspkit-923或vaspkit- ...

这里我们以MoS_2单层为例,首先通过分析能带结构找出价带顶(VBM)和导带底(CBM)的位置。对于MoS_2单层,其价带顶和导带底均位于高对称点K点处。 除了通过能带,也可以通过调用VASPKIT-911命令来得到带边位置, 911 +------------------------- ...

在材料的线性形变范围内(应变较小的情况下),体系的应力与应变满足胡克定律, \sigma_{i}=\sum_{j=1}^{6} c_{i j} \varepsilon_{j} ​ 其中\sigma_{i}和\boldsymbol{\varepsilon}_{i}分别表示应力和 ...