VASPKIT与量化软件 - VASPKIT
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link: http://vaspkit.cn/index.php/category/vaspkit/
description: 只是一个默认分类
items: 使用VASPKIT寻找正交超胞
items: 欢迎关注VASPKIT新公众号
items: VASP结合VASPKIT进行二维半导体高通量计算筛选
items: 采用杂化泛函计算体材料的线性光学性质
items: 让VASPKIT处理VASP.6.3.0一步法能带计算结果
items: 根据弹性常数计算和三维可视化材料力学量
items: 如何得到面平均电荷差分密度
items: VASPKIT常用批处理脚本
items: 基于玻尔兹曼输运理论计算输运性质
items: VASPKIT 中轨道投影能带反折叠功能在二维异质结中的应用案例

使用VASPKIT寻找正交超胞
type: item
date: 2023-03-10T15:06:00+08:00
description: 在研究材料如缺陷性质时，为了使问题简化尽可能选择正交超胞模型。首先简单介绍一下实现原理。超胞基矢(A,B,C)和原胞基矢(a,b,c)满足 \left(\begin{array}{l} \mathbf{A} \\ \mathbf{B} \\ \mathbf{C} \end{array}\right)=\mathbf{M} \cdot\left(\begin{array}{l} \mathbf{a} \\ \mathbf{b} \\ \mathbf{c} \end{array}\right)=\left(\begin{array}{lll} m_1 & m_2 & m_3 \\ n_1 & n_2 & n_3 \\ l_1 & l_2 & l_3 \end{array}\right)\cdot\left(\begin{array}{lll} a_x & a_y & a_z \\ b_x & b_y & b_z \\ c_x & c_y & c_z \end{array}\right) 式中M为变化矩阵，一共9个元素m_i, n_i和l_i，均取整数。只需遍历m_i, n_i和l_i，当A,B,C相互正交则得到正交超胞。接下来我们以Si初级原胞为例演示如何使用VASPKIT寻找正交超胞。 首先准备POSCAR结构 This file is generated by VASPKIT code 1.000000 0.0000000000000000 2.7014999999999998 2.7014999999999998 2.7014999999999998 0.0000000000000000 2.7014999999999998 2.7014999999999998 2.7014999999999998 0.0000000000000000 Si 2 Direct 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 Si1 0.2500000000000000 0.2500000000000000 0.2500000000000000 Si2 接下来运行VASPKIT-800命令 =================== Structural-Model Options ==================== 800) Build Orthogonal Supercell 801) Build Vacuum Slab in Specified Direction 802) Build Random Substitutional Alloy 803) Build Surface by Specified Miller Indices 804) Build Heterostructure by Two Specified Slabs 805) Build Hexagonal Moire Superlattices (Pro-Only) 806) Build Nanorribon by Specified Chiral Vector (Pro-Only) 807) Build Nanotube by Specified Chiral Vector (Pro-Only) 808) Build Nanotube by Specified Orthogonal Slab 0) Quit 9) Back ------------>> 800 o-------------------------- Warm Tips --------------------------o You Can Manually Set MAX_ATOM_NUMBER or/and ANGLE_TOLERANCE in the ~/.vaspkit file to Screen the Most Desired Structures. o---------------------------------------------------------------o -->> (01) Reading Structure from POSCAR File... -->> (02) Written ORTHOGONALCELL_0001_0004.vasp File! -->> (03) Written ORTHOGONALCELL_0002_0008.vasp File! -->> (04) Written ORTHOGONALCELL_0003_0008.vasp File! -->> (05) Written ORTHOGONALCELL_0004_0012.vasp File! -->> (06) Wr…

欢迎关注VASPKIT新公众号
type: item
date: 2023-03-09T22:00:00+08:00
description: VASPKIT公众号已迁移至新号，今后我们将在新公众号里继续推送关于VASPKIT软件及第一性原理计算软件相关资讯和教程，欢迎大家关注和转发。

VASP结合VASPKIT进行二维半导体高通量计算筛选
type: item
date: 2022-12-19T16:14:00+08:00
description: 由于具有二维空间几何结构，能极大的减小电子器件的厚度，二维材料已成为一种制造微型化和集成化电子器件的热门材料。此外，因电子被限制在二维平面内运动，体系维度降低所带来的量子限制效应和弱屏蔽效应赋予二维半导体许多新奇物理效应，展示出不同于其它传统材料的独特物理性质。使其在诸多领域具有重要应用前景，尤其是在高性能微电子器件方面，二维半导体具有天然优势，可显著 提升器件集成度并且降低功耗，因此被认为是硅材料潜在“接班人”来续写摩尔定律。 近日，VASPKIT开发团队与日本东北大学川添良幸教授，日本国家材料科学研究所(NIMS)奈良纯教授、韩国科学技术研究院水関博志教授，采用自主开发的高通量材料物性分析程序VASPKIT结合第一性原理软件VASP，根据热力学(thermodynamic)、力学(mechanical)、动力学(dynamic)及热学(thermal)四个结构稳定性判据条件，从接近1000个二维结构中高通量筛选出73个具有直接带隙和183个具有间接带隙的二维半导体数据库(2D semiconductor database,2DSdb)，包括已被广泛研究的石墨烯、二维氮化硼和过渡金属硫族化合物等二维体系。通过第一性原理计算给出了每种潜在二维半导体的的结构、力学、电学及光学性质，详情可访问2DSdb网站https://materialsdb.cn/2dsdb/index.html获取。 此外，密度泛函理论中局域密度近似(LDA)或广义梯度近似(GGA)往往会严重低估半导体体带隙值，该团队通过拟合分别基于广义梯度近似和杂化密度泛函理论计算得到的电子结构数据，所得到半经验拟合模型(linear fitting model, LFM)可用于修正二维半导体的电离能、带隙及电子亲和势，该经验模型的预测精度接近杂化密度泛函理论，但极大地节约了计算资源。 论文以“High-Throughput Computational Screening of Two-Dimensional Semiconductors”为题，发表在《Journal of Physical Chemistry Letters》(DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c02972)。论文下载链接（百度网盘链接） 如果您使用VASPKIT，请记得引用哦。 V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033 欢迎关注VASPKIT公众号

采用杂化泛函计算体材料的线性光学性质
type: item
date: 2022-03-19T08:55:00+08:00
description: 首先调用VASP计算得到介电函数实部和虚部，然后调用VASPKIT读取介电函数进一步得到线性光学性质。注意VASP计算介电函数时只考虑了带间直接跃迁，因此该方法仅适用于半导体或绝缘体体系，不适用金属体系。The fractive index n(\omega), extinction coefficient \kappa(\omega), absorption coefficient \alpha(\omega), energy-loss function L(\omega), and reflectivity R(\omega) can be calculated from the real \varepsilon_{1}(\omega) and the imaginary \varepsilon_{2}(\omega) parts [M. Fox, Optical properties of solids]: n(\omega)=\left(\frac{\sqrt{\varepsilon_{1}^{2}+\varepsilon_{2}^{2}}+\varepsilon_{1}}{2}\right)^{\frac{1}{2}} k(\omega)=\left(\frac{\sqrt{\varepsilon_{1}^{2}+\varepsilon_{2}^{2}}-\varepsilon_{1}}{2}\right)^{\frac{1}{2}} \alpha(\omega)=\frac{\sqrt{2} \omega}{c}\left(\sqrt{\varepsilon_{1}^{2}+\varepsilon_{2}^{2}}-\varepsilon_{1}\right)^{\frac{1}{2}} L(\omega)=\operatorname{Im}\left(\frac{-1}{\varepsilon(\omega)}\right)=\frac{\varepsilon_{2}}{\varepsilon_{1}^{2}+\varepsilon_{2}^{2}} R(\omega)=\frac{(n-1)^{2}+k^{2}}{(n+1)^{2}+k^{2}} 接下来以Si体系为例演示如何计算光学性质。具体操作步骤如下： 第一步：利用VASP进行结构优化； 得到优化后的POSCAR Si-FCC 5.4379999999999997 -0.0000000000000000 0.5027997174640675 0.5027997174640675 0.5027997174640675 0.0000000000000000 0.5027997174640675 0.5027997174640675 0.5027997174640675 0.0000000000000000 Si 2 Direct 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.2500000000000000 0.2500000000000000 0.2500000000000000 第二步：执行PBE静态计算，这一步可选，目的是为了加速下一步杂化计算收敛速度； Global Parameters ISTART = 1 LREAL = .FALSE. LWAVE = .TRUE. LCHARG = .TRUE. ADDGRID= .TRUE. ENCUT = 400 NPAR = 6 Static Calculation ISMEAR = 0 SIGMA = 0.05 NELM = 60 EDIFF = 1E-08 注意光学性质计算需要足够密的K点 K-Spacing Value to Generate K-Mesh: 0.020 0 Gamma 16 16 16 0.0 0.0 0.0 第三步：执行HSE杂化泛函静态计算 Global Parameters ISTART = 1 ISPIN = 1 LREAL = .FALSE. LWAVE = .TRUE. LCHARG = .TRUE. ADDGRID= .TRUE. ENCUT = 400 NPAR = 6 Static Calculation ISMEAR = 0 SIGMA = 0.05 NELM = 60 EDIFF = 1E-08 HSE06 Calculation LHFCALC= .TRUE. AEXX = 0.25 HFSCREEN= 0.2 ALGO = ALL TIME = 0.4 PRECFOCK= N NKRED = 2 第四步：执行杂化泛函光学性质计算 ISTART = 1 ISPIN = 1 LREAL = …

让VASPKIT处理VASP.6.3.0一步法能带计算结果
type: item
date: 2022-02-19T23:00:00+08:00
description: VASP.6.3.0版本新增一步法（Single-shot）计算能带。在实际测试时中当KPOINTS_OPT文件存在时，VASP的确会继续计算KPOINTS_OPT文件K点的本征值，但是如果不激活HDF5格式输出功能则不会输出PROCAR_OPT文件，因此VASPKIT现有版本不能处理一步法能带计算结果。可修改VASP代码使在不激活HDF5格式输出功能的情况下，当KPOINTS_OPT文件存在并执行VASP计算时自动输出PROCAR_OPT和EIGENVAL_OPT（新增）文件。具体操作如下： 第一步：删除vasp.6.3.0/src/linear_response.F文件中的1804-1827行代码； #ifdef VASP_HDF5 CALL VH5_WRITE_DOS(IH5OUTFILEID, WDES_INTER, KPOINTS_INTER, DOS, DOSI, DOSPAR, EFERMI, & T_INFO%NIONP, -1,SUBGROUP="electron_dos_kpoints_opt") CALL VH5_WRITE_EIGENVAL(IH5OUTFILEID, WDES_INTER, W_INTER, KPOINTS_INTER, & SUBGROUP="electron_eigenvalues_kpoints_opt") ! Write projections IF (JOBPAR/=0 .OR. IO%LORBIT>=10) THEN IF (IO%LORBIT==11.OR.IO%LORBIT==12) THEN CALL VH5_WRITE_PROJECTORS(IH5OUTFILEID, T_INFO, WDES_INTER, W_INTER, IO%LORBIT, LPAR, PAR_INTER, LMCHAR, PHAS_INTER, & SUBGROUP="projectors_kpoints_opt") ELSE CALL VH5_WRITE_PROJECTORS(IH5OUTFILEID, T_INFO, WDES_INTER, W_INTER, IO%LORBIT, LPAR, PAR_INTER, LCHAR, PHAS_INTER, & SUBGROUP="projectors_kpoints_opt") ENDIF IF (IO%IU6>=0) THEN CALL XML_PROCAR(PAR, W_INTER%CELTOT, W_INTER%FERTOT, WDES_INTER%NB_TOT, WDES_INTER%NKPTS, LPAR,& T_INFO%NIONP, WDES_INTER%NCDIJ, TAG="projected_kpoints_opt") OPEN(UNIT=99,FILE='PROCAR_OPT',STATUS='UNKNOWN') CALL WRITE_PROCAR(99,W_INTER,WDES_INTER,IO%LORBIT,LPAR,LMDIMP,PAR_INTER,PHAS_INTER,T_INFO,KPOINTS%EMIN,KPOINTS%EMAX) CLOSE(99) ENDIF ENDIF #endif 并在此处新增以下代码 ! Added support to VASPKIT OPEN(UNIT=99,FILE='EIGENVAL_OPT',STATUS='UNKNOWN') WRITE(99,'(4I5)') T_INFO%NIONS,T_INFO%NIONS,0.0,WDES_INTER%ISPIN WRITE(99,'(5E15.7)') 0.d0,0.d0,0.d0,0.d0,0.d0 WRITE(99,'(1E15.7)') 0.d0 WRITE(99,*) ' CAR ' WRITE(99,*) INFO%SZNAM1 WRITE(99,'(3I7)') NINT(INFO%NELECT),WDES_INTER%NKPTS,WDES_INTER%NB_TOT DO IK=1,WDES_INTER%NKPTS WRITE(99,*) WRITE(99,'((4E15.7))') WDES_INTER%VKPT(1,IK),WDES_INTER%VKPT(2,IK),WDES_INTER%VKPT(3,IK),WDES_INTER%WTKPT(IK) DO I=1,WDES_INTER%NB_TOT IF (WDES_INTER%ISPIN==1) WRITE(99,852) I,REAL( W_INTER%CELTOT(I,IK,1) ,KIND=q),W%FERTOT(I,IK,1) IF (WDES_INTE…

根据弹性常数计算和三维可视化材料力学量
type: item
date: 2022-02-08T11:39:00+08:00
description: 首先利用VASPKIT-204命令得到体弹性模量、杨氏模量、剪切模量及泊松比随角度的依赖关系，具体算法可参考文献【J. Phys. Condens. Matter, 28, 275201 (2016)和Comput. Phys. Commun. 181, 2102–2115 (2010)】。接下来我们以某单斜体系的弹性常数为例来演示如何进行材料力学量三维可视化。 第一步新建ELASTIC_TENSOR.in并输入6x6弹性常数矩阵，注意第一行是注释行不可省略。如果是二维体系，则输入文件为ELASTIC_TENSOR_2D.in，注意二维体系弹性常数矩阵大小为3x3。 # comment line (in GPa) 228.38 85.741 81.503 0 -0.737 0 85.741 217.47 94.201 0 -20.213 0 81.503 94.201 178.81 0 -9.472 0 0 0 0 35.094 0 -17.851 -0.737 -20.213 -9.472 0 37.778 0 0 0 0 -17.851 0 42.708 第二步运行VASPKIT 204命令得到MECHANICS_3D.dat ------------>> 204 +-------------------------- Warm Tips --------------------------+ See an example in vaspkit/examples/angular_dependent_mechanics. +---------------------------------------------------------------+ -->> (01) Reading Elastic-Tensor From ELASTIC_TENSOR.in File... Stiffness Tensor C_ij (in GPa): 228.380 85.741 81.503 0.000 -0.737 0.000 85.741 217.470 94.201 0.000 -20.213 0.000 81.503 94.201 178.810 0.000 -9.472 0.000 0.000 0.000 0.000 35.094 0.000 -17.851 -0.737 -20.213 -9.472 0.000 37.778 0.000 0.000 0.000 0.000 -17.851 0.000 42.708 Compliance Tensor S_ij (in GPa^{-1}): 0.005594 -0.001532 -0.001804 0.000000 -0.001163 0.000000 -0.001532 0.006607 -0.002632 0.000000 0.002845 0.000000 -0.001804 -0.002632 0.007829 0.000000 0.000520 0.000000 0.000000 0.000000 0.000000 0.036189 0.000000 0.015126 -0.001163 0.002845 0.000520 0.000000 0.028100 0.000000 0.000000 0.000000 0.000000 0.015126 0.000000 0.029737 +---------------------------------------------------------------+ -->> (02) Written MECHANICS_3D.dat File! 打开MECHANICS_3D.dat可看到第一行给出了每一列数据所代表的物理量，第二行给出了球坐标系下分别划分仰角\theta \in[0, 180]和方位角\phi \in[0, 360]的格点大小。 #Theta Phi Bulk Young Shear_min Shear_max Poisson_min Poisson_max Compressibility #Grid size: 181 361 0.00000 0.00000 98.24107 127.73352 27.63268 35.58671 0.23047 0.33613 0.00339 0.00000 1.00000 98.24107 127.73352 27.63268 35.58671 0.23047 0.33613 0.00339 0.00000 2.00000 98.24107 127.73352 27.63268 35.58671 0.23047 0.33613 0.00339 0.00000 3.…

如何得到面平均电荷差分密度
type: item
date: 2022-01-12T09:13:00+08:00
description: 第一步：调用vaspkit-314得到电荷差分密度CHGDIFF.vasp文件 第二步：mv CHGDIFF.vasp CHGCAR 第三步：运行vaspkit-316命令得到PLANAR_AVERAGE.dat文件，导入画图。 如果您使用VASPKIT，请记得引用哦！ V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033 欢迎关注VASPKIT公众号。

VASPKIT常用批处理脚本
type: item
date: 2022-01-05T16:09:00+08:00
description: 把.cif格式文件批量转化成.vasp格式文件 for i in *.cif do echo -e "105\n$i\n\n"| vaspkit prefix=`echo $i|awk -F '.' '{print $1}'` echo ${prefix}.vasp mv POSCAR ${prefix}.vasp done 批量输出带隙值 for i in ls * do echo -e "911\n"|vaspkit|grep 'Gap'|awk '{print $NF}' done 提取功函数值并写入FERMI_ENERGY.in文件中 value=$(vaspkit -task 927 | grep 'Vacuum' | awk '{print $NF}') sed -i "2s/.*/$value/" FERMI_ENERGY.in 确保在运行该命令时，当前工作目录中包含FERMI_ENERGY.in文件，并且具有写入权限。 如果您使用VASPKIT，请记得引用哦！ V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033 欢迎关注VASPKIT公众号。

基于玻尔兹曼输运理论计算输运性质
type: item
date: 2022-01-04T21:50:00+08:00
description: VASPKIT.1.3.1版本已实现基于半经验玻尔兹曼输运理论计算输运性质，目前可输出electronic conductivity, Seebeck coefﬁcient, power factor 和electronic thermal conductivity等输运性质，后期将逐步改进输运性质计算模块。我们简述一下实现原理。根据玻耳兹曼理论, 电子的群速度可以表示为: v_{\alpha}(i, k)=\frac{1}{h} \frac{\partial \varepsilon_{i, k}}{\partial k_{\alpha}} 式 中, \varepsilon_{i, k} 第 i 条能带, 第 k 点处的能量本征值; \alpha 表示速度沿着 \alpha 方向。电导率张量可表示为: \sigma_{\alpha \beta}(i, k)=e^{2} \tau_{i, k} v_{\alpha}(i, k) v_{\beta}(i, k) 上式中, \tau_{i, k} 驰豫豫时间; v_{\alpha}(i, k) 、 v_{\beta}(i, k) 是群速度, 即漂移速度。一般情况下弛豫时间 \tau_{i, k} 与第 i 条能带和 k 矢量的方向均有关, 在常数驰豫时间近似下，\tau_{i, k} 可看做是一个与载流子能量无关的常数。虽然常数弛豫时间近似有局限性, 但是这种近似简化了载流子在材料内部的传输机制, 在载流子散射对能量和温度的依赖性小的情况下, 体系中所有的弛豫时间会与他们的平均值非常接近, 此时利用常数驰豫时间近似得到的输运系数较为可靠。而掺杂的浓度, 即载流子的浓度, 决定了费米能级的高低。一般情况下, 在掺杂浓度较低时, 掺杂的数目和种类对体系能带结构在能隙附近的影响可忽略, 此时只有费米能级会随着掺杂浓度的变化发生移动, 这就是所谓的刚性能带模型。在刚性能带模型近似下的电导率与输运分布函数有关，有 \sigma_{\alpha \beta}(\varepsilon)=\frac{1}{N} \sum_{i, k} \sigma_{\alpha \beta}(i, k) \frac{\delta\left(\varepsilon-\varepsilon_{i, k}\right)}{\mathrm{d} \varepsilon} 式中 \mathrm{N}是计算时 k 点个数。显然输运系数是关于化学势 \mu (费米能) 与温度 T 的函数, 对输运分布函数在整个空间内进行积分后, 可以得到半导体的各个输运参数: 其中电导系数可表示为 \sigma_{\alpha \beta}(T ; \mu)=\frac{1}{\Omega} \int \sigma_{\alpha \beta}(\varepsilon)\left[-\frac{\partial f_{\mu}(T ; \varepsilon)}{\partial \varepsilon}\right] \mathrm{d} \varepsilon 上式中 f(T ; \varepsilon) 为费米-狄拉克分布函数。在计算电导率过程中, 需要求得在 k 点的本征能量 \varepsilon_{i, k}, 而 \varepsilon_{i, k} 可以从材料的能带结构中获得。通过改变化学势 \mu 相对于能带的不同位置可求得载流子浓度。其他输运性质物理量如电子对热导率的贡献，塞贝克系数，功率因子的推导可参考文献Computer Physics Communications 175 (2006) 67–71。接下来以GaAs为例采用VASP+VASPKIT计算该材料的输运性质。 第一步：准备POSCAR和INCAR文件 准备POSCAR文件 Ga1 As1 1.0 4.0659928322 0.0000000000 0.0000000000 2.0329964161 3.5212530843 0.0000000000 2.0329964161 1.1737510281 3.3198692456 Ga As 1 1 Direct 0.000000000 0.000000000 0.000000000 0.750000000 0.750000000 0.750000000 INCAR文件为 Global Parameters ISTART = 1 (Read existing wavefunction, if there) ISPIN = 1 (Non-Spin polarised DFT) LREAL = .FALSE. (Projection operators: automatic) LWAVE = .TRUE. (Writ…

VASPKIT 中轨道投影能带反折叠功能在二维异质结中的应用案例
type: item
date: 2021-12-19T21:12:00+08:00
description: 二维异质结，尤其是旋转二维异质结是近年来十分热门的研究方向，接下来我们演示如何应用VASPKIT 1.20及之后版本中的轨道投影能带反折叠功能计算二维异质结的电子结构性质。为了便于比较，我们重复了Matsushita等人关于MoS_2/graphene二维异质结能带计算的计算结果[10.1103/PhysRevMaterials.2.010801]，该模型由4\times4 MoS_2和5\times5 graphene单层所构成。 第一步，我们采用vaspkit-400建立MoS_2和graphene超胞，建议在两个不同的文件夹中操作； 准备好包含MoS_2原胞结构信息的POSCAR文件，vi TRANSMAT.in，然后输入 Read transformation matrix from the TRANSMAT.in file if it exists. 4 0 0 # must be three integers 0 4 0 # must be three integers 0 0 1 # must be three integer 运行vaspkit-400命令得到4\times4 MoS_2超胞。 准备好包含graphene原胞结构信息的POSCAR文件，vi TRANSMAT.in，然后输入 Read transformation matrix from the TRANSMAT.in file if it exists. 5 0 0 # must be three integers 0 5 0 # must be three integers 0 0 1 # must be three integer 运行vaspkit-400命令得到5\times5 graphene超胞。 第二步，建立异质结并进行结构优化，结果如下图所示： 第三步，建立BZ_graphene和BZ_MoS2文件夹，分别拷贝POTCAR、INCAR和POSCAR（异质结）及TRANSMAT.in文件到两个文件夹中。注意两个文件夹中的TRANSMAT.in不同，分别对应于生成4\times4 MoS_2和5\times5 graphene超胞的变换矩阵，然后分别运行vaspkit-281命令生成用于能带反折叠计算的KPOINTS；注意INCAR中必须设置LORBIT=10/11以及LWAVE = .TRUE.两个参数，NBANDS取值尽可能大一些，比如是总价电子数的一倍。 Global Parameters ISTART = 1 LREAL = .FALSE. PREC = Normal LWAVE = .TRUE. LCHARG = F ADDGRID= .TRUE. NBANDS= 432 Electronic Relaxation ISMEAR = 0 SIGMA = 0.05 NELM = 60 NELMIN = 6 EDIFF = 1E-07 IVDW = 10 LORBIT = 11 第四步，因为BZ_graphene和BZ_MoS2文件夹中的TRANSMAT.in不相同，产生的KPOINTS也会不同，因此需要执行两vasp计算； 第五步：计算完成后，在BZ_graphene和BZ_MoS2文件夹中分别执行vaspkit-284命令，分别得到每种元素能带反折叠后的轨道投影能带； 上图是能带反折叠到石墨烯布里渊区的轨道投影能带图，显然石墨烯反折叠投影能带符合的很好，但是MoS_2的反折叠投影能带贡献并不合理，部分原因是由于在石墨烯布里渊区反折叠后的K点并不沿着MoS_2能带路径。接下来再把超胞能带反折叠到MoS_2布里渊区，得到 这时发现MoS_2的能带是合理的，但是石墨烯的能带不真实，原因类似。显然，通过调用vaspkit软件执行轨道投影能带反折叠后，我们可以剔除掉不真实的反折叠能带贡献，只保留合理的部分，因此最终的结果如下图所示， 我们的结果也与文献Phys. Rev. Materials. 2 010801中的计算结果符合的很好。 如果您使用VASPKIT，请记得引用哦！ V. Wang, N. Xu, J.-C. Liu, G. Tang, W.-T. Geng, VASPKIT: A User-Friendly Interface Facilitating High-Throughput Computing and Analysis Using VASP Code, Computer Physics Communications 267, 108033, (2021), https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108033 欢迎关注VASPKIT公众号。